成都瑞迪威科技有限公司
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瓦片式相控陣雷達套片

        根據瓦片式相控陣雷達天線系統的需求,已經成功發了Ku、Ka兩個頻段的芯片套片,套片包含硅基多通道波束成形芯片和GaAs前端TR芯片。  
        硅基多通道波束成形芯片集成四個收發通道,每個通道集成放大器、移相器、袞減器、開關,芯片中同時集成數字控制、SPI通信接口、電源管理、溫度補償等電路。GaAs前端TR芯片集成PA、LNA和收發開關,具有優良的效率和噪聲性能。
         采用先進的一體化異質封裝技術對兩種芯片進行了一體化BGA封裝,套片組合使用更加方便。兩種芯片亦可單獨使用。





技術指標
 
Ku頻段套片   Ka頻段套片  
工作頻率 14-18GHZ 工作頻率 32~40GHz
通道數量 4 通道數量 4
接收增益 ≥26dB 接收增益 ≥26dB
發射增益 ≥26dB 發射增益 ≥28dB
接收噪聲系數 ≤3.5dB 接收噪聲系數 ≤4.5dB
發射輸出功率 ≥20dBm 發射輸出功率 ≥23dBm
發射效率 ≥25% 發射效率 ≥20%
收發切換時間 <50ns 收發切換時間 <50ns
    特點 支持雙極化

高通量衛星通信套片

       根據高通量衛星通信相控陣天線系統的需求,已成功開發了 Ka頻段硅基四通道發射波束成形芯片和 K頻段硅基四通道接收波束成形芯片。
       發射芯片集成四個發射通道,每個通道集成放大器、移相器和衰減器,芯片中同時集成數字控制、 SPI通信接口、電源管理、溫度補償等電路。與發射芯片類似,接收芯片集成了四個接收通道。
        面對更高輸出功率和更低噪聲的應用,同步開發了GaAs工藝的PA和LNA芯片,可與硅基工藝的發射和接收芯片配套使用,采用了先進的一體化異質封裝技術對兩種芯片進行了一體化封裝,套片組合使用更加方便。



技術指標
Ka頻段發射芯片   K頻段接收芯片  
工作頻率 27-32GHz 工作頻率 17-22GHz
通道數量 4 通道數量 4
接收增益 ≥10dB 接收增益 ≥10dB
發射輸出P-1dB ≥6dBm 噪聲系數 <5dB
移相位數 6位 移相位數 6位
移相精度RMS ≤3° 移相精度RMS ≤3°
衰減位數 6位 衰減位數 6位
衰減步進 0.5dB 衰減步進 0.5dB
封裝方式 LGA 封裝方式 LGA
封裝后尺寸 3mm×3.5mm 封裝后尺寸 3.8mm×3.1mm

IF-RF頻率變換套片

         針對Ka頻段已成功開發了硅基功率放大器、低噪聲放大器、上下變頻器、倍頻器、壓控振蕩器等芯片,并實現了Ka頻段收發機芯片和探距芯片的開發。
         Ka頻段收發機芯片中集成了功率放大器,低噪聲放大器、上下變頻器、倍頻器、中頻放大器、收發開關等完整的收發變頻功能,具有集成度高、體枳小、功耗低的優勢,是實現小型化組件的必要技術基礎。
        探距芯片集成了壓控振蕩器、下變頻器、功率放大器和低噪聲放大器,可應用于智能駕駛、無人機防撞、引信等系統。





 
技術指標
Ka頻段收發機芯片   Ka頻段探距芯片  
射頻頻率 Ka頻段 射頻頻率 Ka頻段
射頻寬帶 2GHz 射頻寬帶 2GHz
本振頻率 X波段 發射輸出功率 ≥6dBm
小信號增益 15±1dB 噪聲系數 ≤5dB
發射輸出功率 ≥6dBm 中頻頻率 DC~10MHz
噪聲系數 ≤5dB    
中頻頻率 L波段    

芯片產品列表
射頻波束成型芯片



射頻前端芯片



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