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射頻集成電路

結合硅基與Ⅲ-Ⅴ族半導體技術打造新一代毫米波有源相控陣系統

       過去的幾十年,毫米波集成電路基本都是采用Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體技術來實現,尤其是GaAs技術來制作的,但隨著微納電子技術使集成電路工藝技術進入了納米時代,硅基MMIC的性能已經提高到100GHz以上,這已經對毫米波系統的發展產生重大影響,因為CMOS工藝是最有潛力來實施毫米波片上系統(SOC)的。另外非常重要的一點是CMOS技術具有在極大規模生產時達到極低成本的潛力。
       目前的硅基工藝仍然不適合制造射頻濾波器、低噪聲放大器和高功率放大器,特別是在毫米波頻段上。我們結合自身的技術優勢,制定了同時開發硅基工藝和Ⅲ-Ⅴ族工藝MMIC的技術路線,在保證射頻性能在前提下提高集成度、減小體積并降低生產成本,推動毫米波系統向更智能化、更小型化、更低成本的方向發展。

特點
●高集成度的硅基波束成形芯片
●高性能的GaAs前端芯片
●高可靠性的一體化異質集成

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